
STB20N90K5中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.21 Ω
耗散功率 250 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 900 V
上升时间 13.5 ns
输入电容Ciss 1500pF @100VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STB20N90K5引脚图与封装图
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在线购买STB20N90K5
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STB20N90K5 | ST Microelectronics 意法半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 900 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |