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STD6N90K5

STD6N90K5

晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 900V 6A Tc 110W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 900V 6A DPAK


贸泽:
MOSFET N-channel 900 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


STD6N90K5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 910 mΩ

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

输入电容 342 pF

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

上升时间 12.2 ns

正向电压Max 1.5 V

输入电容Ciss 342pF @100VVds

下降时间 15.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 110000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD6N90K5引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STD6N90K5 ST Microelectronics 意法半导体 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存