SI2303BDS-T1
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI2303BDS-T1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 700mW Ta
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 180pF @15VVds
耗散功率Max 700mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.45 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI2303BDS-T1引脚图与封装图
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在线购买SI2303BDS-T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2303BDS-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23 | 搜索库存 |
替代型号SI2303BDS-T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI2303BDS-T1 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-3 | 当前型号 | MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23 | 当前型号 |
| 型号： SI2303BDS-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-3 P-Channel 30V 1.49A | 完全替代 | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3Pin SOT-23 | SI2303BDS-T1和SI2303BDS-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI2303CDS-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-236-3 | 类似代替 | TRANSISTOR 1900mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small Signal | SI2303BDS-T1和SI2303CDS-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI2303BDS-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23 P-Channel 30V 1.49A 380mΩ | 类似代替 | MOSFET; P-Ch; VDSS -30V; RDSON 0.15Ω; ID -1.49A; TO-236 SOT-23; PD 0.7W; VGS +/-2 | SI2303BDS-T1和SI2303BDS-T1-E3的区别 |