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STF11N60DM2

STF11N60DM2

数据手册.pdf

晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 600V 10A Tc 25W Tc Through Hole TO-220FP


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MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP


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STF11N60DM2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.37 Ω

极性 N-CH

耗散功率 25 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 6.3 ns

输入电容Ciss 614pF @100VVds

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

STF11N60DM2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STF11N60DM2 ST Microelectronics 意法半导体 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存