SI4178DY-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI4178DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2.4W Ta, 5W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 405pF @15VVds
耗散功率Max 2.4W Ta, 5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4178DY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4178DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4178DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A 8SO | 搜索库存 |
替代型号SI4178DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4178DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 12A 8SO | 当前型号 |
| 型号： SI4178DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 完全替代 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | SI4178DY-T1-E3和SI4178DY-T1-GE3的区别 |