SIA813DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V

表面贴装型 P 通道 20 V 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 双

得捷:
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

贸泽:
MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V

SIA813DJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.9W Ta, 6.5W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -4.50 A

输入电容Ciss 355pF @10VVds

耗散功率Max 1.9W Ta, 6.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIA813DJ-T1-GE3引脚图与封装图

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SIA813DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V	搜索库存