SQ4431EY-T1_GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SQ4431EY-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 6 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1265pF @15VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SQ4431EY-T1_GE3引脚图与封装图
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在线购买SQ4431EY-T1_GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ4431EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC | 搜索库存 |
替代型号SQ4431EY-T1_GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SQ4431EY-T1_GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT P-Channel | 当前型号 | MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC | 当前型号 |
| 型号： SQ4431EY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOIC P-Channel | 完全替代 | MOSFET Transistor, P Channel, -10.8A, -30V, 0.02Ω, -10V, -1.5V | SQ4431EY-T1_GE3和SQ4431EY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SQ4942EY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SO-8 N-Channel | 类似代替 | MOSFET,NN CH,W DIODE,40V,8A,SO8 | SQ4431EY-T1_GE3和SQ4942EY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SQ4470EY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOIC N-Channel | 功能相似 | MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC | SQ4431EY-T1_GE3和SQ4470EY-T1-GE3的区别 |