SI4158DY-T1-GE3

Vishay Siliconix 分立器件

Trans MOSFET N-CH 20V 25.8A 8Pin SOIC N T/R

N-Channel 20V 36.5A Tc 3W Ta, 6W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO

SI4158DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3W Ta, 6W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 5710pF @10VVds

耗散功率Max 3W Ta, 6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4158DY-T1-GE3引脚图与封装图

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