SQD50N04-5M6_GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SQD50N04-5M6_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.0046 Ω
耗散功率 71 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 71W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SQD50N04-5M6_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SQD50N04-5M6_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 | 搜索库存 |