SI7382DP-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
耗散功率 1.8W Ta
漏源极电压Vds 30 V
耗散功率Max 1.8W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI7382DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Mosfet n-Ch 30V 14A Ppak So-8 | 搜索库存 |