SUD35N10-26P-T4GE3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 100V 35A TO252

表面贴装型 N 通道 100 V 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252AA

得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252

SUD35N10-26P-T4GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 8.3W Ta, 83W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 2000pF @12VVds

耗散功率Max 8.3W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SUD35N10-26P-T4GE3引脚图与封装图

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