SQ4470EY-T1_GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SQ4470EY-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 7.1W Tc
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 3165pF @25VVds
耗散功率Max 7.1W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
SQ4470EY-T1_GE3引脚图与封装图
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在线购买SQ4470EY-T1_GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ4470EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC | 搜索库存 |
替代型号SQ4470EY-T1_GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SQ4470EY-T1_GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT N-Channel | 当前型号 | MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC | 当前型号 |
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| 型号： SQ4431EY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOIC P-Channel | 功能相似 | MOSFET Transistor, P Channel, -10.8A, -30V, 0.02Ω, -10V, -1.5V | SQ4470EY-T1_GE3和SQ4431EY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SQ4470EY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOIC N-Channel | 功能相似 | MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC | SQ4470EY-T1_GE3和SQ4470EY-T1-GE3的区别 |