SQD45N05-20L-GE3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET 50V 45A 75W 18mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 50A（Tc） 2.5W（Ta），75W（Tc） TO-252，（D-Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 50V 50A TO252

SQD45N05-20L-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.5W Ta, 75W Tc

漏源极电压Vds 50 V

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

SQD45N05-20L-GE3引脚图与封装图

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替代型号SQD45N05-20L-GE3

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： SQD45N05-20L-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252-3	当前型号	MOSFET 50V 45A 75W 18mohm @ 10V	当前型号
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