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SIT3808AI-D3-18EH-66.670000T

数据手册.pdf
(SiTime) 被动器件

High Performance Programmable Mems Vcxo, -40℃ to 85℃, 7050, 50ppm, 1.8V, 66.67MHz, Oe, 200Ppm Pr, SMD

LVCMOS VCXO 1.8V 启用/禁用 6-SMD,无引线


立创商城:
66.67MHz ±50ppm


得捷:
MEMS OSC VCXO 66.6700MHZ LVCMOS


SIT3808AI-D3-18EH-66.670000T中文资料参数规格
技术参数

频率 66.67 MHz

频率稳定度 ±50 ppm

电源电压 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-6

外形尺寸

封装 SMD-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

SIT3808AI-D3-18EH-66.670000T引脚图与封装图
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SIT3808AI-D3-18EH-66.670000T SiTime High Performance Programmable Mems Vcxo, -40℃ to 85℃, 7050, 50ppm, 1.8V, 66.67MHz, Oe, 200Ppm Pr, SMD 搜索库存