SIT3808AI-G2-18NE-12.000000T

(SiTime) 被动器件

High Performance Programmable Mems Vcxo, -40℃ to 85℃, 2520, 25ppm, 1.8V, 12MHz, Nc, 100Ppm Pr, SMD

12 MHz LVCMOS VCXO 1.8V - 4-SMD，无引线

立创商城:
12MHz ±25ppm

得捷:
MEMS OSC VCXO 12.0000MHZ LVCMOS

SIT3808AI-G2-18NE-12.000000T中文资料参数规格

技术参数

频率 12 MHz

频率稳定度 ±25 ppm

电源电压 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

SIT3808AI-G2-18NE-12.000000T引脚图与封装图

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SIT3808AI-G2-18NE-12.000000T	SiTime	High Performance Programmable Mems Vcxo, -40℃ to 85℃, 2520, 25ppm, 1.8V, 12MHz, Nc, 100Ppm Pr, SMD	搜索库存