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SMBJ58C-E3/52
SMBJ58C-E3/52中文资料参数规格
技术参数

工作电压 58 V

击穿电压 64.4 V

耗散功率 600 W

钳位电压 103 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 64.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SMBJ58C-E3/52引脚图与封装图
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在线购买SMBJ58C-E3/52
型号 制造商 描述 购买
SMBJ58C-E3/52 Vishay Semiconductor 威世 ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 58V 10% Bidir 搜索库存
替代型号SMBJ58C-E3/52
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ58C-E3/52

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 58V 10% Bidir

当前型号

型号: SMBJ58CA-E3/52

品牌: 威世

封装: DO-214AA

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