SMBJ7.5-E3/52中文资料参数规格
技术参数
工作电压 7.5 V
击穿电压 8.33 V
耗散功率 1 W
钳位电压 14.3 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 8.33 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
长度 5.59 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.44 mm
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅
SMBJ7.5-E3/52引脚图与封装图
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在线购买SMBJ7.5-E3/52
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMBJ7.5-E3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBJ7.5A-E3 | 搜索库存 |
替代型号SMBJ7.5-E3/52
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMBJ7.5-E3/52 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBJ7.5A-E3 | 当前型号 | |
型号: SMBJ7.5A-E3/52 品牌: 威世 封装: DO-214AA/SMB-7.5V | 类似代替 | ESD 抑制器/TVS 二极管 7.5V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol | SMBJ7.5-E3/52和SMBJ7.5A-E3/52的区别 |