STD11N60M2-EP

ST Microelectronics(意法半导体) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3Pin2+Tab DPAK T/R

N-Channel 600V 7.5A Tc 85W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

贸泽:
MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

STD11N60M2-EP中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 85 W

上升时间 5.5 ns

输入电容Ciss 390pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD11N60M2-EP引脚图与封装图

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