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SMBJ6.5CD-M3/H

SMBJ6.5CD-M3/H

数据手册.pdf
SMBJ6.5CD-M3/H中文资料参数规格
技术参数

工作电压 6.5 V

击穿电压 7.87 V

耗散功率 1 W

钳位电压 11 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 7.33 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SMBJ6.5CD-M3/H引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMBJ6.5CD-M3/H Vishay Semiconductor 威世 ESD 抑制器/TVS 二极管 6.5V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol 搜索库存
替代型号SMBJ6.5CD-M3/H
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ6.5CD-M3/H

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AA

当前型号

ESD 抑制器/TVS 二极管 6.5V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol

当前型号

型号: SMBJ6.5CD-M3/I

品牌: 威世

封装:

完全替代

ESD 抑制器/TVS 二极管 6.5V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol

SMBJ6.5CD-M3/H和SMBJ6.5CD-M3/I的区别