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SIHW70N60EF-GE3

SIHW70N60EF-GE3

数据手册.pdf
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD

N-Channel 600V 70A Tc 520W Tc Through Hole TO-247AD


得捷:
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIHG70N60EF-GE3


SIHW70N60EF-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 520W Tc

输入电容Ciss 7500pF @100VVds

耗散功率Max 520W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SIHW70N60EF-GE3引脚图与封装图
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