SI1450DH-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI1450DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 1.56W Ta, 2.78W Tc
漏源极电压Vds 8 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
输入电容Ciss 535pF @4VVds
耗散功率Max 1.56W Ta, 2.78W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1450DH-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI1450DH-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1450DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Trans MOSFET N-CH 8V 4.53A 6Pin SC-70 T/R | 搜索库存 |
替代型号SI1450DH-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1450DH-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SC-70 N-Channel 8V 4A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 8V 4.53A 6Pin SC-70 T/R | 当前型号 |
| 型号： SI1422DH-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SC-70 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6Pin SC-70 T/R | SI1450DH-T1-E3和SI1422DH-T1-GE3的区别 |