耗散功率 5.4W Ta, 96W Tc
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 6900pF @30VVds
耗散功率Max 5.4W Ta, 96W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI7138DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI7138DP-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAK | 当前型号 | MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8 | 当前型号 | |
型号: SI7138DP-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: N-Channel 60V 30A | 完全替代 | MOSFET 60V 30A 96W 7.8mohm @ 10V | SI7138DP-T1-E3和SI7138DP-T1-GE3的区别 | |
型号: SI7478DP-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT | 类似代替 | MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8 | SI7138DP-T1-E3和SI7478DP-T1-GE3的区别 | |
型号: SI7478DP-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAK-SO-8 N-Channel 60V 20A | 功能相似 | MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V | SI7138DP-T1-E3和SI7478DP-T1-E3的区别 |