SUM36N20-54P-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SUM36N20-54P-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 3.12W Ta, 166W Tc
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
输入电容Ciss 3100pF @25VVds
耗散功率Max 3.12W Ta, 166W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SUM36N20-54P-E3引脚图与封装图
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在线购买SUM36N20-54P-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUM36N20-54P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号SUM36N20-54P-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUM36N20-54P-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 N-Channel 200V 36A | 当前型号 | MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： SUM65N20-30-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3Pin2+Tab TO-263 | SUM36N20-54P-E3和SUM65N20-30-E3的区别 |