SI8435DB-T1-E1
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Vishay Siliconix
分立器件
SI8435DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2.78W Ta, 6.25W Tc
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 1600pF @10VVds
耗散功率Max 2.78W Ta, 6.25W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MicroFoot-4
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.65 mm
封装 MicroFoot-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI8435DB-T1-E1引脚图与封装图
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在线购买SI8435DB-T1-E1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI8435DB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP | 搜索库存 |
替代型号SI8435DB-T1-E1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI8435DB-T1-E1 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 当前型号 | MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP | 当前型号 |
| 型号： SI8475EDB-T1-E1 品牌： Vishay Siliconix 封装： 4-XFBGA | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 4Pin Micro Foot T/R | SI8435DB-T1-E1和SI8475EDB-T1-E1的区别 |