SI8405DB-T1-E1

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

P-Channel 12V 3.6A Ta 1.47W Ta Surface Mount 4-Microfoot

得捷:
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT

贸泽:
MOSFET 12V 4.9A 2.77W

DeviceMart:
MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

SI8405DB-T1-E1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 55.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.47W Ta

漏源极电压Vds 12 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

耗散功率Max 1.47W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XFBGA-4

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.65 mm

封装 XFBGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI8405DB-T1-E1引脚图与封装图

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