SI7366DP-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI7366DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.7W Ta
漏源极电压Vds 20 V
耗散功率Max 1.7W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7366DP-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI7366DP-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7366DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 | 搜索库存 |
替代型号SI7366DP-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7366DP-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAK | 当前型号 | MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 | 当前型号 |
| 型号： SI7366DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT N-Channel 20V 20A | 完全替代 | MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 | SI7366DP-T1-E3和SI7366DP-T1-GE3的区别 |
| 型号： SIR424DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAK N-Channel | 类似代替 | SiR172DP Series N-Channel 20V 0.0074Ω 41.7W SMT Mosfet - PowerPAK® SO-8 | SI7366DP-T1-E3和SIR424DP-T1-GE3的区别 |