SI4825DY-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
极性 P-Channel
耗散功率 1.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids -11.5 A
耗散功率Max 1.5W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4825DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI4825DY-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC P-Channel 30V 11.5A | 当前型号 | MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC | 当前型号 | |
型号: SI4825DDY-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SOIC P-Channel | 类似代替 | Si4825DDY Series P-Channel 30V 12.5mOhm 5W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | SI4825DY-T1-GE3和SI4825DDY-T1-GE3的区别 |