SI1046X-T1-GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI1046X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 250mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 606 mA
输入电容Ciss 66pF @10VVds
耗散功率Max 250mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-89-3
外形尺寸
封装 SC-89-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1046X-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI1046X-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1046X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 20V 606mA 0.25W1/4W 420mohm @ 4.5V | 搜索库存 |
替代型号SI1046X-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1046X-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SC-89-3 N-Channel 20V 606mA | 当前型号 | MOSFET 20V 606mA 0.25W1/4W 420mohm @ 4.5V | 当前型号 |
| 型号： SI1012X-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SC-89 N-Channel 20V 600mA | 类似代替 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.41Ω; ID 500mA; SC-89 SOT-490; Halogeenfree | SI1046X-T1-GE3和SI1012X-T1-GE3的区别 |