极性 P-Channel
耗散功率 1.5W Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -15.3 A, 15.3 A
耗散功率Max 1.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI7107DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 20V 15.3A 3.8W 10.8mohm @ 4.5V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI7107DN-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAK-1212-8 P-Channel 20V 15.3A | 当前型号 | MOSFET 20V 15.3A 3.8W 10.8mohm @ 4.5V | 当前型号 | |
型号: SI7123DN-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAKR P-Channel 20V 25A | 功能相似 | 20V 25A 52W 10.6mohm @ 4.5V | SI7107DN-T1-GE3和SI7123DN-T1-GE3的区别 | |
型号: SI7107DN-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAK P-Channel 20V 15.3A | 功能相似 | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 | SI7107DN-T1-GE3和SI7107DN-T1-E3的区别 | |
型号: SIS407DN-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAK P-Channel | 功能相似 | MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK | SI7107DN-T1-GE3和SIS407DN-T1-GE3的区别 |