SIA419DJ-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SIA419DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 3.5W Ta, 19W Tc
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -12.0 A
输入电容Ciss 1500pF @10VVds
耗散功率Max 3.5W Ta, 19W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIA419DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIA419DJ-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA419DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 | 搜索库存 |
替代型号SIA419DJ-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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