SIR840DP-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SIR840DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 -
漏源极电压Vds 30 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR840DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SIR840DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8 | 搜索库存 |