SI5433BDC-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI5433BDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.3W Ta
漏源极电压Vds 20 V
耗散功率Max 1.3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5433BDC-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI5433BDC-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5433BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 | 搜索库存 |
替代型号SI5433BDC-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI5433BDC-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SMD | 当前型号 | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 | 当前型号 |
| 型号： SI5433BDC-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SMD | 完全替代 | MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8 | SI5433BDC-T1-E3和SI5433BDC-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI5401DC-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 类似代替 | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 | SI5433BDC-T1-E3和SI5401DC-T1-E3的区别 |
| 型号： SI5443DC-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 1206 P-Channel 3.6A to 3.6A 65mΩ | 类似代替 | MOSFET 20V 4.9A 2.5W | SI5433BDC-T1-E3和SI5443DC-T1-E3的区别 |