SIB419DK-T1-GE3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET 12V 9A 13.1W 60mohm @ 4.5V

表面贴装型 P 通道 9A（Tc） 2.45W（Ta），13.1W（Tc） PowerPAK® SC-75-6L 单

得捷:
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6

贸泽:
MOSFET 12V 9.0A 13.1W 60mohm @ 4.5V

SIB419DK-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 2.45W Ta, 13.1W Tc

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids -9.00 A

上升时间 42.0 ns

输入电容Ciss 562pF @6VVds

耗散功率Max 2.45W Ta, 13.1W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-75-6L

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.75 mm

封装 SC-75-6L

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIB419DK-T1-GE3引脚图与封装图

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