SMBJ75C-E3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 75 V
击穿电压 83.3 V
耗散功率 600 W
钳位电压 134 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 83.3 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ75C-E3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ75C-E3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ75C-E3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | TVS BIDIR 600W 75V 10% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMBJ75C-E3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ75C-E3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | TVS BIDIR 600W 75V 10% SMB | 当前型号 |
| 型号： SMBJ75CA-E3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Bi-Dir 75V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ75C-E3/5B和SMBJ75CA-E3/5B的区别 |