SMBJ8.5CHE3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 8.5 V
击穿电压 9.44 V
耗散功率 1 W
钳位电压 15.9 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 9.44 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ8.5CHE3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ8.5CHE3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ8.5CHE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBJ8.5CAHE3 | 搜索库存 |
替代型号SMBJ8.5CHE3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ8.5CHE3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBJ8.5CAHE3 | 当前型号 |
| 型号： SMBJ8.5CHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 8.5V 10% Bidir AEC-Q101 Qualified | SMBJ8.5CHE3/5B和SMBJ8.5CHE3/52的区别 |
| 型号： SMBJ8.5CAHE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 功能相似 | Diode TVS Single Bi-Dir 8.5V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ8.5CHE3/5B和SMBJ8.5CAHE3/5B的区别 |