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SMBJ60HE3/5B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 60 V

击穿电压 66.7 V

钳位电压 107 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 66.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMBJ60HE3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ60HE3/5B
型号 制造商 描述 购买
SMBJ60HE3/5B Vishay Semiconductor 威世 TVS UNIDIR 600W 60V 10% SMB 搜索库存
替代型号SMBJ60HE3/5B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBJ60HE3/5B

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

TVS UNIDIR 600W 60V 10% SMB

当前型号

型号: SMBJ60AHE3/5B

品牌: 威世

封装: DO-214

类似代替

DIODE 600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2Pin, Transient Suppressor

SMBJ60HE3/5B和SMBJ60AHE3/5B的区别

型号: SMBJ60AHE3/52

品牌: 威世

封装: DO-214

类似代替

DIODE 600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2Pin, Transient Suppressor

SMBJ60HE3/5B和SMBJ60AHE3/52的区别

型号: SMBJ60A

品牌: 力特

封装: DO-214 6V 600W

功能相似

LITTELFUSE  SMBJ60A  二极管, TVS, 600W, 60V, DO-214AA

SMBJ60HE3/5B和SMBJ60A的区别