SMBJ60C-E3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 60 V
击穿电压 66.7 V
钳位电压 107 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 66.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214
外形尺寸
封装 DO-214
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ60C-E3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ60C-E3/5B
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMBJ60C-E3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | TVS BIDIR 600W 60V 10% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMBJ60C-E3/5B
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMBJ60C-E3/5B 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | TVS BIDIR 600W 60V 10% SMB | 当前型号 | |
型号: SMBJ60CA-E3/5B 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 功能相似 | DIODE 600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2Pin, Transient Suppressor | SMBJ60C-E3/5B和SMBJ60CA-E3/5B的区别 |