SMBJ110CHE3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 110 V
击穿电压 135 V
钳位电压 177 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 122 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ110CHE3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ110CHE3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ110CHE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | TVS BIDIR 600W 110V 10% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMBJ110CHE3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ110CHE3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | TVS BIDIR 600W 110V 10% SMB | 当前型号 |
| 型号： SMBJ110CAHE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 110V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ110CHE3/5B和SMBJ110CAHE3/5B的区别 |
| 型号： SMBJ110CA 品牌： ProTek Devices 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 110V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA | SMBJ110CHE3/5B和SMBJ110CA的区别 |