SMBJ36C-E3/5B中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 40 V
钳位电压 64.3 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 40 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
宽度 3.94 mm
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ36C-E3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ36C-E3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ36C-E3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | TVS BIDIR 600W 36V 10% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMBJ36C-E3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ36C-E3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | TVS BIDIR 600W 36V 10% SMB | 当前型号 |
| 型号： SMBJ36CA-E3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214AA | 完全替代 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W，Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻，带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | SMBJ36C-E3/5B和SMBJ36CA-E3/5B的区别 |