SMBJ33HE3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 33 V
击穿电压 36.7 V
钳位电压 59 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 36.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ33HE3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ33HE3/5B
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMBJ33HE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | TVS UNIDIR 600W 33V 10% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMBJ33HE3/5B
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMBJ33HE3/5B 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | TVS UNIDIR 600W 33V 10% SMB | 当前型号 | |
型号: SMBJ33AHE3/5B 品牌: 威世 封装: DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 33V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ33HE3/5B和SMBJ33AHE3/5B的区别 |