SMBJ26HE3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 26 V
击穿电压 28.9 V
耗散功率 1 W
钳位电压 46.6 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 28.9 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ26HE3/5B引脚图与封装图
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在线购买SMBJ26HE3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ26HE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBJ26AHE3 | 搜索库存 |
替代型号SMBJ26HE3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ26HE3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBJ26AHE3 | 当前型号 |
| 型号： SMBJ26AHE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 功能相似 | DIODE 600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2Pin, Transient Suppressor | SMBJ26HE3/5B和SMBJ26AHE3/5B的区别 |