SMBJ30CHE3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 30 V
击穿电压 33.3 V
钳位电压 53.5 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 33.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ30CHE3/5B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMBJ30CHE3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ30CHE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | TVS BIDIR 600W 30V 10% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMBJ30CHE3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ30CHE3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | TVS BIDIR 600W 30V 10% SMB | 当前型号 |
| 型号： SMBJ30CAHE3/5B 品牌： 威世 封装： SMB | 功能相似 | Diode TVS Single Bi-Dir 30V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ30CHE3/5B和SMBJ30CAHE3/5B的区别 |
| 型号： SMBJ30CAHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 功能相似 | ESD 抑制器/TVS 二极管 30V 800W Bidir TransZorb 5% Tol | SMBJ30CHE3/5B和SMBJ30CAHE3/52的区别 |