SI8445DB-T2-E1
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Vishay Siliconix
分立器件
极性 P-Channel
耗散功率 1.8W Ta, 11.4W Tc
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -9.80 A
输入电容Ciss 700pF @10VVds
耗散功率Max 1.8W Ta, 11.4W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 XFBGA-4
封装 XFBGA-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI8445DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT | 搜索库存 |