SI8467DB-T2-E1
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI8467DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 780mW Ta, 1.8W Tc
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 475pF @10VVds
耗散功率Max 780mW Ta, 1.8W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 XFBGA-4
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.65 mm
封装 XFBGA-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI8467DB-T2-E1引脚图与封装图
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