SUD50N10-18P-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SUD50N10-18P-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 3W Ta, 136.4W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 2600pF @50VVds
耗散功率Max 3W Ta, 136.4W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SUD50N10-18P-GE3引脚图与封装图
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在线购买SUD50N10-18P-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUD50N10-18P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK | 搜索库存 |
替代型号SUD50N10-18P-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUD50N10-18P-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252-3 N-Channel | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK | 当前型号 |
| 型号： SUD50N10-18P-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252-3 | 完全替代 | MOSFET 100V 50A 136.4W 18.5mohm @ 10V | SUD50N10-18P-GE3和SUD50N10-18P-E3的区别 |
| 型号： SUD35N10-26P-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3Pin2+Tab TO-252AA | SUD50N10-18P-GE3和SUD35N10-26P-E3的区别 |