SIE854DF-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SIE854DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 5.2W Ta, 125W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 3100pF @50VVds
耗散功率Max 5.2W Ta, 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PolarPAK-10
外形尺寸
封装 PolarPAK-10
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIE854DF-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIE854DF-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE854DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V | 搜索库存 |
替代型号SIE854DF-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIE854DF-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 10-PolarPAK | 当前型号 | MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V | 当前型号 |
| 型号： SIE854DF-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PolarPAK-10 N-Channel 64A | 完全替代 | MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V | SIE854DF-T1-GE3和SIE854DF-T1-E3的区别 |
| 型号： SIR846ADP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAK | 功能相似 | MOSFET N-CH 100V 60A SO8 | SIE854DF-T1-GE3和SIR846ADP-T1-GE3的区别 |