SI4418DY-T1-GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI4418DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.5W Ta
漏源极电压Vds 200 V
耗散功率Max 1.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4418DY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4418DY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4418DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI4418DY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4418DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 当前型号 | MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI4418DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC N-Channel 200V 3A | 完全替代 | MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC | SI4418DY-T1-GE3和SI4418DY-T1-E3的区别 |
| 型号： SI4490DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 类似代替 | MOSFET 200V 4A 3.1W 80mohm @ 10V | SI4418DY-T1-GE3和SI4490DY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI4410BDY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOIC | 功能相似 | TRANSISTOR 7500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal | SI4418DY-T1-GE3和SI4410BDY-T1-E3的区别 |