SI7462DP-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
耗散功率 1.9W Ta
漏源极电压Vds 200 V
耗散功率Max 1.9W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI7462DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI7462DP-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAK-SO-8 | 当前型号 | MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V | 当前型号 | |
型号: SI7462DP-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT N-Channel 200V 4.1A | 功能相似 | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8 | SI7462DP-T1-GE3和SI7462DP-T1-E3的区别 |