SMCJ11HE3/9AT中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 12.2 V
耗散功率 1.5 kW
钳位电压 20.1 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 12.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
外形尺寸
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMCJ11HE3/9AT引脚图与封装图
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在线购买SMCJ11HE3/9AT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMCJ11HE3/9AT | Vishay Semiconductor 威世 | TVS 1.5kW UNIDIR 11V 10% SMC | 搜索库存 |
替代型号SMCJ11HE3/9AT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMCJ11HE3/9AT 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | TVS 1.5kW UNIDIR 11V 10% SMC | 当前型号 |
| 型号： SMCJ11AHE3/9AT 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 11V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ11HE3/9AT和SMCJ11AHE3/9AT的区别 |