SI7407DN-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI7407DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.5W Ta
漏源极电压Vds 12 V
耗散功率Max 1.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 1212-8
外形尺寸
封装 1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7407DN-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI7407DN-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7407DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8 | 搜索库存 |
替代型号SI7407DN-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7407DN-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 当前型号 | MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8 | 当前型号 |
| 型号： SI7613DN-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAK P-Channel | 功能相似 | MOSFET Transistor, P Channel, -35A, -20V, 0.0072Ω, -4.5V, -1V | SI7407DN-T1-E3和SI7613DN-T1-GE3的区别 |